Hocheffizientes Industrienetzteil 鈥� 脺berf眉hrung neuer Halbleitertechnologien in die industrielle Praxis
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GO Engineering Gesellschaft zur Entwicklung
von Hard- und Software mbH
Stolzenbergstr. 13/IV
76532 Baden-Baden
Zielsetzung und Anlass des Vorhabens
Die technologische Entwicklung industrieller Netzteile ist an einem Punkt angelangt, an dem physikalische
Grenzen des Halbleitermaterials Silizium erreicht werden. Insbesondere die Drift-Geschwindigkeit der
Elektroden im Halbleiter sowie die Lage und die Gr枚脽e der Bandl眉cke im Halbleitermaterial verhindern
eine weitere Steigerung der Energieeffizienz.
Ziel des Projekts ist daher die Entwicklung eines neuartigen, hocheffizienten Netzteils auf der Basis neuartiger Halbleitermaterialien. Dabei werden Ergebnisse im Bereich der Grundlagenforschung insbesondere
in Bezug auf Gallium-Nitrid aus dem Labor und exemplarischen Prototyp- Anwendungen in Produkte
眉berf眉hrt, die h枚chsten industriellen Anforderungen in Bezug auf Lebensdauer, Ausfallsicherheit und Energieeffizienz gen眉gen.